cmos平板和非晶硅平板的区别
非晶硅与Comos的平板的差别：
在数字射线检测技术中，采用辐射探测器完成射线的探测和转换。它是获得射线检测图像的器件，是影响获得的图像质量的基本因素。用于工业数字射线检测技术的辐射探测器按原理可分为3类：气体辐射探测器、闪烁辐射探测器以及半导体辐射探测器。其中非晶硅探测器与CMOS探测器均为闪烁辐射探测器的典型代表。
CMOS探测器
第一部为闪烁体实现将辐射转换为光信号；
第二部分为CMOS感光成像器件，负责将光信号转换为电信号；
第三部分为后续电路，测量电信号，实现对辐射的探测。
核心元件CMOS负责实现对光信号的转换和探测。
光生电荷按一定相位顺序加上时钟脉冲时按一定的方向转移就形成图像视频信号。
非晶硅射线探测器
由闪烁体、非晶硅层（光电二极管阵列）、TFT阵列（大面积薄膜晶体管阵列）构成。
闪烁体将辐射转换为光，非晶硅层将光转换为电信号，TFT阵列实现信号的读出，供给后续测量电路。
——摘自《CMOS与非晶硅探测器成像效果初探》
